Три месяца назад компании Intel и STMicroelectronics объявили об основании совместной фирмы и девяти R&D-центров по всему миру для разработки и производства принципиально нового типа флэш-памяти с изменением фазового состояния (она же — ovonic unified memory, то есть OUM). По мнению экспертов, коммерческий выход первых продуктов может произойти уже в этом году. Более продвинутая технология способна полностью вытеснить с рынка стандартную флэш-память типа NAND.

На конференции Flash Memory Summit на этой неделе Грег Комото, менеджер по стратегическому планированию производства флэш-памяти Intel, сказал, что компания уже изготовила образцы 90-нанометровой OUM-памяти. Он также заявил, что эта память в будущем придёт на смену традиционной памяти NAND. По его словам, ни одна другая технология не способна конкурировать с OUM по цене и другим характеристикам.

Исследования Intel показывают, что технология OUM может быть использована в техпроцессах с нормами до 15 нм. Это открывает большие перспективы для миниатюризации микросхем, а значит — их удешевления и улучшения качественных характеристик.

Микросхемы памяти с изменением фазового состояния изготавливаются из того же материала, что и обычный компакт-диск. В процессе производства после формовки определённые участки материала быстро нагревают до 600°С, от чего эти участки расплавляются, то есть переходят из кристаллического состояния в аморфное.